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    創新科研

    實驗室

    青島惠科實驗室分為應用實驗室、分析實驗室和例行試驗室。其中例行實驗室是公司品保部下屬可靠性實驗室,占地面積260㎡,配備環境試驗、環境偏壓測試系統、綜合老化測試系統等,可承接半導體分立器件主流可靠性驗證試驗。


    例行實驗室
    試驗項目簡稱檢測能力標準
    冷熱沖擊TSTA:-70℃ min
    TB:200℃ max
    JESD22-A106
    快速溫度循環TCTA:-70℃ min
    TB:180℃ max
    JESD22-A113
    JESD22-A104
    鹽霧試驗SST滿足各種鹽霧腐蝕要求CNS,JIS. ASTM, GB2423.17中SS(中性),ASS(酸性),CASS(銅加速)
    高/低溫存儲HTS/LTSTA:-70℃ min
    TB:300℃ max
    JESD22-A103
    穩態濕熱THTRH:10%~98%
    TA:0℃ min
    TB:180℃ max
    JESD22-A113
    JESD22-A101
    高壓蒸煮PCTTA:105℃~ 150℃
    RH:65%~100%
    Pre.:0.019MPa~0.208MPa
    JESD22-A102
    高溫反偏HTRBTA:200℃ max
    VR:3000V max
    JESD22- A108
    高溫反偏(Tj)HTRB(Tj)TA:200℃ max
    VR:3000V max
    JESD22- A108
    高溫高濕反偏H3TRBRH:10%~98%
    TA:-20℃~180℃
    VR:1200V max
    JESD22- A108
    高溫柵偏HTGBTA:200℃ max
    VR:60V max
    JESD22- A108
    分立器件綜合老化測試BI滿足穩態壽命試驗(CFOL)、間歇熱疲勞(IFOL)壽命試驗和功率老煉篩選美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
    間歇運行壽命IOLK系數測試、連續工作壽命(CFOL)和間歇工作壽命試驗(IOL)。
    監測參數:IH、VF、Ta、Tjmax、Tjmin、△Tj、VF@IM、VF@IH、TON、TOFF
    MIL-STD-750-1 M1040 Test Condition A
    美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
    高加速耐濕及偏壓系統HASTTA:+105℃-142.9℃
    RH:75%~100%
    Pre.:0.020MPa~0.196MPa
    VR:200V max
    JESD22- A110
    JESD22- A118
    功率循環PCVF:0.02V~4.00V
    IF:1500 max
    美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
    應用實驗室能力
    項目
    簡介
    電測包括DC參數測試、二極管正反向浪涌測試、TRR、QRR、di/dt檢測等
    ESD靜電測試接觸放電、空氣放電兩種形式,輸出電壓最高30kV
    IV 曲線測試最高輸出電壓5000V,電流精度可達pA
    柵極等效電容電阻測試可測量Rg,Ciss,Coss,Crss,測量精度1%
    雪崩擊穿測試雪崩電壓最高可達2500V,Id最大200A
    光電測試系統可進行光譜響應檢測;適應于PD、PT產品的測試
    分析實驗室能力
    項目
    簡介
    Decap芯片化學開蓋用化學方法去掉芯片外封裝的樹脂材料
    FIB 聚焦離子束可進行高分辨率成像,便于分析細微的芯片缺陷
    Cross Section切片分析用于芯片縱切面分析
    Probe探針測試進行芯片開帽后的參數分析
    X-Ray 檢測儀適用于樣品的無損檢測,快速高效的分析樣品的封裝缺陷
    SRP擴展電阻測試系統通過芯片縱向電阻率的測試,分析材料參數的一種有效方式